عنوان	تاثیر تنش بروی ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی تک لایه C3Nبا استفاده از مدل تنگ بست
نوع پژوهش	مقاله ارائه شده کنفرانسی
کلیدواژه‌ها	تنگ بست، ظرفیت گرمایی، تنش دومحوری،پذیرفتاری مغناطیسی
چکیده	در این مطالعه با استفاده از مدل تنگ بست و تابع گرین به بررسی رفتار الکترونیکی، مغناطیسی و ترمودینامیکی تک لایه C3Nمیپردازیم. ما همچنین به مطالعه تاثیر تنش و دما برروی این ویژگیها خواهیم پرداخت. محاسبات ما نشان میدهد که ظرفیت گرمایی الکترونیکی و پذیرفتاری مغناطیسی پاولی با افزایش تنش دو محوری کششی افزایش مییابد. یافتههای ما نشان میدهد که تک لایه C3Nیک ماده دوبعدی امیدوارکننده و پایدار با کاربردهای بالقوه در حسگرها، الکترونیک و اسپینترونیک است
پژوهشگران	مریم سلیمانی (نفر اول)، زهرا عالمی پور (نفر دوم)، بندر آستین چپ (نفر سوم)، مونا عبدی (نفر چهارم)