عنوان	لای هنشانی نانوسیمهای مغناطیسی با روش لانگمور-بلاجت و در حضور میدان مغناطیسی خارجی
نوع پژوهش	مقاله چاپ‌شده در مجلات علمی
کلیدواژه‌ها	نانوسیم مغناطیسی، لایهنشانی، لانگمور-بلاجت، فیلم، میدان معناطیسی
چکیده	چینش و همآرایی کنترل شده نانوسیمها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، حسگرها و ادوات اسپینترونیک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یک بعدی با استفاده از روشهای مختلفی مانند دستکاری نوری، میکروسیالات، میدانهای الکتریکی و مغناطیسی انجام شده است. ما در این مقاله، از روش لانگمویر-بلاجت برای لایه نشانی نانوسیمهای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی خارجی بر روی سطوح جامد استفاده کرده ایم. پس از تمیز کردن نانوسیمهای مغناطیسی سنتز شده با روش رسوب الکتریکی با ولتاژ مستقیم و قالب اکسیدآلومینیم با قطر حفره 200 نانومتر، با استفاده از یک میکروسرنگ پلاستیکی آنها را روی سطح آب دو بار یونیزه شده در تشتک لانگمور (تفلونی) ریختیم. پس از متراکم سازی با دو میله متحرک، در یک فشار سطحی مشخص و در حضور میدان مغناطیسی خارجی ، فیلم های لانگمور به زیرلایه های جامد منتقل شدند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی تک لایه ها نشان میدهند که نانوسیمها تقریبا هم جهت با میدان مغناطیسی قرار میگیرند. برای مقایسه فیلم نانوسیمها با روش قطره چکانی در حضور و غیاب میدان مغناطیسی خارجی و همچنین روش لانگمور- بلاجت در غیاب میدان مغناطیسی تهیه گردید. این مقایسه نشان داد که فقط با روش لانگمور- بلاجت میتوان فیلم تک لایه از نانوسیمها تهیه نمود. ارزانی، سرعت عمل بالا، لایه نشانی در مساحتهای بزرگ و همچنین تنوع در مورفولوژی تک لایه ها از اهمیت ها و مزایای روش لانگمور- بلاجت هستند
پژوهشگران	عبدالله حسن زاده (نفر اول)، سیامند صالح خسرو (نفر دوم)، کاشان برهان محمد (نفر سوم)، سمیه قادری (نفر چهارم)، رحمان حلاج (نفر پنجم)