مشخصات پژوهش

عنوان	ساخت نانوسیم های Fe84P16 و بررسی اثر بسامد انباشت برروی خواص مغناطیسی آن ها
نوع پژوهش	مقاله چاپ‌شده در مجلات علمی
کلیدواژه‌ها	نانوسیم، میدان وادارندگی، نسبت مربعی، بسامد، الکتروانباشت
چکیده	نانوسیم های Fe84 P16در قالب اکسید آندی آلومینیم با روش الکترو انباشت تحت جریان متناوب در بسامدهای متفاوت (1000-50 هرتز) ساخته شدند. قالب های اکسید آندی آلومینیم با روش آندایز دو مرحله­ای تهیه شدند. اثر بسامد انباشت و تابکاری حرارتی بر روی ویژگی مغناطیسی و ساختار بلوری نانوسیم های بررسی شد. نانوسیم های ساخته شده با دستگاه­های مغناطوسنج نیروی گرادیان اتمی (AGFM)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، طیف­ سنجی پراش پرتو ایکس (XRD) و طیف ­سنجی پراکندگی انرژی پرتو ایکس (EDX) آنالیز شدند. تصویر SEM نشان داد که قطر نانوسیم ها 30-50 نانومتر است و از XRD ساختار بلوری آنها مکعبی مرکز حجمی بدست آمد. ویژگی مغناطیسی نانوسیم ها (میدان وادارندگی و نسبت مربعی) با دستگاه AGFM مطالعه شد. نتایج بدست آمده از بررسی اثر بسامد بر ویژگی مغناطیسی نشان داد که نانوسیم تهیه شده در بسامد انباشت 200 هرتز دارای بیشترین میدان وادارندگی (1149 اورستد) است و همچنین، مشاهده شد که با افزایش بسامد نسبت مربعی افزایش می­یابد. برای مطالعه اثر تابکاری حرارتی، نمونه­ها در گستره دمایی 600-300 درجه سانتیگراد تابکاری شدند. نتایج نشان داد که تابکاری نمونه ها باعث افزایش بلورینگی و در نتیجه بهبود ویژگی مغناطیسی آنها می­ شود.
پژوهشگران	طیبه کاکاوندی (نفر سوم)، بندر آستین چپ (نفر دوم)، زهرا عالمی پور (نفر اول)