عنوان	بررسی خواص الکترونیک شبکه مربعی هشت ضلعی با استفاده از مدل تنگ بست
نوع پژوهش	مقاله ارائه شده کنفرانسی
کلیدواژه‌ها	شبکه مربع-هشتضلعی، شار مغناطیسی ، تنگ بست مدل
چکیده	در این پژوهش، ساختار نواری و خواص الکترونیکی شبکه مربعی-هشتضلعی با در نظر گرفتن اثر ترکیبی پارامترهای پرش t2و t3همچنین حضور شار مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. یافتهها نشان میدهد که اعمال یک پرش سوم غیرصفر t3منجر به ایجاد دو باند کاملاً مسطح میشود که یکی از آنها در سطح نیمهپر قرار دارد و بیانگر حالتهای موضعی بدون پراکندگی است. این حالتها میتوانند نقش مهمی در ویژگیهای انتقالی و ظرفیت کوانتومی ایفا کنند. همچنین تغییر مقدار t2منجر به گذار بین فازهای نیمهرسانا و فلزی شده و موقعیت باند مسطح را بهطور قابل توجهی جابهجا میکند. با اعمال شار مغناطیسی و وارد کردن فاز ،Peierlsباند مسطح دچار اعوجاج و جابهجایی انرژی میشود و در مقادیر بالاتر شار، شکاف باند کاهش یافته و در نهایت شبکه به یک فاز شبهفلزی میرسد. این نتایج نشان میدهند که با تنظیم مناسب پارامترهای مدل و شار مغناطیسی، میتوان کنترل دقیقی بر خواص الکترونیکی این ساختار بهدست آورد که آن را به گزینهای مناسب برای کاربردهای کوانتومی و مواد مهندسیشده تبدیل میکند
پژوهشگران	مونا عبدی (نفر اول)، عرفان نوریان (نفر دوم)، بندر آستین چپ (نفر سوم)