عنوان	بررسی خواص فیزیکی ساختار پنتا گرافن با استفاده از مدل تنگ بست
نوع پژوهش	طرح پژوهشی خاتمه یافته
کلیدواژه‌ها	ساختار پنتا گرافن، مدل تنگ بست، رویکرد تابع گرین، تنش، میدان الکتریکی، چگالی حالات
چکیده	ساختارهای پنتا گرافن به دلیل ویژگی های فیزیکی عجیب و غریب خود جذابیت زیادی را به خود جلب کرده اند. بر اساس محاسبات تنگ بست محکم، ما نشان دادیم که شکاف باند تک لایه پنتا گرافن را می توان با اعمال عوامل خارجی مانند میدان الکتریکی، میدان مغناطیسی و تنش کنترل کرد. این توانایی برای دستکاری خواص الکترونیکی، تک لایه های پنتاگرافن را برای کاربردهای الکترونیکی بسیار کاربردی می کند. در اینجا، برای اولین بار، تاثیر میدان الکتریکی، میدان مغناطیسی و تنش بر ظرفیت گرمایی الکترونیکی و پذیرفتاری مغناطیسی خواص تک لایه پنتا گرافن را با استفاده از روش تنگ بست و تکنیک تابع گرین مطالعه می‌کنیم. نتایج ما نشان داد که تک لایه پنتا گرافن یک ماده پارامغناطیس است. اعمال کرنش، میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی باعث کاهش پذیرفتاری مغناطیسی ساختار پنتاگرافن می شود. بنابراین، ظرفیت گرمایی با اعمال میدان الکتریکی و تنش فشاری افزایش می‌یابد. به طور کلی، کنترل پذیرفتاری مغناطیسی و ظرفیت گرمایی در تک لایه‌های پنتا گرافن فرصت‌هایی را برای پیشرفت در اسپین‌ترونیک، ذخیره‌سازی انرژی، مدیریت حرارتی، سنجش و نانوالکترونیک باز می‌کند که منجر به فناوری‌های پیشرفته در چندین صنعت می‌شود.
پژوهشگران	بندر آستین چپ (مجری اول)، مونا عبدی (همکار)