|
عنوان
|
بررسی خواص ترموالکتریک نانونوار دسته صندلی سیلیسن تحت تاثیر میدان های مغناطیسی و الکتریکی با استفاده از مدل تنگ بست
|
|
نوع پژوهش
|
پایان نامه
|
|
کلیدواژه‌ها
|
رسانندگی گرمایی، ضریب سیبک، میدان الکتریکی، میدان مغناطیسی، مدل تنگ بست، نانونوارسیلیسین
|
|
چکیده
|
در این پایان نامه با استفاده از مدل تنگ بست و تابع گرین الکترونی ضرایب ترابری برای نانونوار دسته صندلی سیلیسن محاسبه شد و سپس به وسیله ضرایب ترابری خواص ترموالکتریک نانونوار دسته صندلی سیلیسن به دست آمد. در همین راستا، تاثیر پهنای نانونوار، دما، میدان الکتریکی و مغناطیسی بر روی رسانندگی گرمایی و ضریب سیبک بررسی شد. نتایج نشان می دهد که رسانندگی گرمایی با افزایش میدان الکتریکی و مغناطیسی کاهش پیدا می کند. همچنین علامت ضریب سیبک در دماهای مختلف با تغییر میدان الکتریکی و مغناطیسی و پهنای نانونوار تغییر می کند. کنترل کردن ضریب سیبک می تواند در کارآیی نانونوار سیلیسن برای استفاده در ابزارآلات الکترونیک مفید باشد.
|
|
پژوهشگران
|
بندر آستین چپ (استاد راهنما)، سهیلا مرادی (دانشجو)
|