|
عنوان
|
اثر ولتاژ بایاس بر روی خواص ترموالکتریک سیلیسم کاربید دولایه
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه شده کنفرانسی
|
|
کلیدواژه‌ها
|
سیلیسم کاربید، ترموالکتریک، ولتاز بایاس، چگالی حالات.
|
|
چکیده
|
در این پژوهش تاثیر ولتاژ بایاس بروی خواص ترموالکتریک مانند رسانندگی گرمایی ، ضریب سیبک و چگالی حالات سیلیسم کاربید دولایه در چینش ساده با مدل تنگ بست با استفاده از رهیافت تابع گرین بررسی می شود. با استفاده از نظریه پاسخ خطی چگالی حالات ،هدایت گرمایی و ضریب سیبک محاسبه می شود. نتایج به دست آمده نشان می دهد با افزایش ولتاژ بایاس هدایت گرمایی و ضریب سیبک کاهش میابدو اعمال ولتاژ بایاس باعث ایجاد باند گاف و بزرگتر شدن آن در نمودار چگالی حالات می شود.
|
|
پژوهشگران
|
بندر آستین چپ (نفر دوم)، مونا عبدی (نفر اول)
|