|
چکیده
|
در این تحقیق، جذب گازهای 4CH، CO، 2N، 2H و 2O بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) ، (8,0) و نانولوله بور- سیلیکون(5,5) با استفاده از روش DFT مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که جذب مولکول 4CH بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) ، (8,0) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب ضعیف و بر سطح خارجی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون(5,5) جذب فیزیکی با انرژی جذب متوسط می باشد و در همه ی موارد انتقال بار از نانولوله به مولکول گازی انجام می شود. جذب مولکولCO بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) ، (8,0) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب متوسط می باشد. اما انرژی جذب فیزیکی آن بر سطح داخلی نانولوله بور- سیلیکون(5,5) بسیار قوی بوده و بر سطح خارجی نانولوله فوق جذب شیمیایی انجام می دهد. انتقال بار در همه ی حالات جذب در نانولوله های سیلیکونی(5,5) ، (8,0) از مولکول گازی به نانولوله می باشد. اما در جذب بر سطح خارجی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون(5,5) در دو جهت متفاوت انجام می شود. مولکول 2N جذب فیزیکی نسبتاً ضعیفی را بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) ، (8,0) انجام می دهد و انرژی جذب آن بر سطح خارجی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون(5,5) تقریباً یکسان و متوسط می باشد. انتقال بار در همه ی حالات از مولکول گازی به نانولوله می باشد. نتایج نشان می دهد که مولکول 2H بر سطح خارجی و داخلی نانولوله سیلیکونی(5,5) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب ناچیز انجام می دهد و در سطح خارجی و داخلی نانولوله سیلیکونی(8,0) جذب نمی شود. اما جذب 2H بر هر دو سطح خارحی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون جذب فیزیکی با انرژی جذب بسیار زیاد است. مولکول 2O دارای رفتاری متفاوت از سایر گازهای بررسی شده بوده و بر سطح خارجی و داخلی هر دو نانولوله سیلیکونی و نانولوله بور- سیلیکون جذب شیمیایی با انرژی جذب بسیار زیاد انجام داده و شکاف انرژی HOMO-LUMO در نانولوله سیلیکونی (5,5) کاهش و در نانولوله-های سیلیکونی (8,0) و بور- سیلیکون(5,5) افزایش می یابد.
|