زهرا عالمی پور

نانوسیم هایآلیاژی16P84Feدر قالب اکسید آندی آلومینیوم با روش الکترو انباشت تحت جریان متناوب ساخته شدند..اثر بسامد و ولتاژ انباشت و تابکاری بر روی مغناطیسی نانو سیم ها مطالعه شد نتایج مربوط به بسامد نشان می دهد کهبیشترین مقدار میدان وادارندگی( 1149 اورستد) برای نمونه انباشت شده با بسامد200هرتز به دست آمد. همچنینبا تغییر ولتاژ انباشت تغییر محسوسی روی میدان وادارندگی مشاهده نشد. اما با انجامعملیات تابکاری میدان وادارندگی نانوسیم هادر ولتاژ30 از مقدار 837 اورستد در دمای اتاق به1440 اورستد در دمای 600 درجه سانتی گراد رسید.خواص مغناطیسی نمونه ها توسط مغناطو سنج نیروی گرادیان متناوب (AGFM) و همچنین ساختار بلوری نمونه ها توسط دستگاه طیف سنج پراش اشعه(XRD) اندازه گیری شد