نانوسیم های Fe84 P16در قالب اکسید آندی آلومینیم با روش الکترو انباشت تحت جریان متناوب در بسامدهای متفاوت (1000-50 هرتز) ساخته شدند. قالب های اکسید آندی آلومینیم با روش آندایز دو مرحلهای تهیه شدند. اثر بسامد انباشت و تابکاری حرارتی بر روی ویژگی مغناطیسی و ساختار بلوری نانوسیم های بررسی شد. نانوسیم های ساخته شده با دستگاههای مغناطوسنج نیروی گرادیان اتمی (AGFM)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، طیف سنجی پراش پرتو ایکس (XRD) و طیف سنجی پراکندگی انرژی پرتو ایکس (EDX) آنالیز شدند. تصویر SEM نشان داد که قطر نانوسیم ها 30-50 نانومتر است و از XRD ساختار بلوری آنها مکعبی مرکز حجمی بدست آمد. ویژگی مغناطیسی نانوسیم ها (میدان وادارندگی و نسبت مربعی) با دستگاه AGFM مطالعه شد. نتایج بدست آمده از بررسی اثر بسامد بر ویژگی مغناطیسی نشان داد که نانوسیم تهیه شده در بسامد انباشت 200 هرتز دارای بیشترین میدان وادارندگی (1149 اورستد) است و همچنین، مشاهده شد که با افزایش بسامد نسبت مربعی افزایش مییابد. برای مطالعه اثر تابکاری حرارتی، نمونهها در گستره دمایی 600-300 درجه سانتیگراد تابکاری شدند. نتایج نشان داد که تابکاری نمونه ها باعث افزایش بلورینگی و در نتیجه بهبود ویژگی مغناطیسی آنها می شود.
