در این پژوهش تاثیر ولتاز بایاس و تزریق الکترون بر روی ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی و چگالی حالات بورنیترید و بریلیوم اکسید دولایه در چینش ساده با مدل تنگ بست با استفاده از رهیافت تابغ گرین بررسی می شود. با استفاده از نظریه پاسخ خطی چگالی حالات، ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی محاسبه می شود. نتایج بدست آمده نشان می دهد با افزایش ولتاژ و تزریق الکترون ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی کاهش می یابد و اعمال ولتاژ بایاس باعث کاهش گاف نواری در نمودار چگالی حالات می شود.
