در این پایان نامه نانوسیم های آهن-تنگستن با استفاده از قالب آلومینیوم آندی و به روش الکتروانباشت متناوب تهیه می شوند. ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله-ای آماده می شوند و سپس در حین مرحله چهار دقیقه ایی انباشت، اثر غلظت، بسامد، ولتاژ پالسی به صورت جداگانه روی نانوسیم ها بررسی می گردد. خواص مغناطیسی نانوسیم ها با استفاده از دستگاه مغناطوسنج نیروی گرادیان متناوب (AGFM)، ساختار شیمیایی نانوسیم ها توسط طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس (EDX) و ریخت شناسی نانوسیم ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) انجام می شود. ساختار بلوری نمونه ها با استفاده از طیف سنجی پراش اشعه ایکس (XRD) بررسی می شود. برای بررسی اثر تابکاری حرارتی بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم ها، نمونه ها در گستره ی دمایی (°C600 - 300) تحت گاز بی اثر آرگون تابکاری می شوند. در اثر غلظت محلول هایی با درصدهای متفاوتی از ناخالصی تنگستن شامل( 5/0-1-2-25/2-5/2-3-4-5 )تهیه می گردد و نمونه ها با آن محلول ها انباشت می شوند. بعد از تابکاری حرارتی، بیشترین تغییرات میدان وادارندگی برای نانوسیم تهیه شده با 25/2 درصد ناخالصی تنگستن شد و به عنوان نانوسیم بهینه اثر غلظت مشخص می شود. اثر بسامد انباشت در بسامدهای( 50-1000) هرتز روی نانوسیم ها اعمال می شود و پس از تابکاری، نانوسیم تهیه شده با بسامد 200 هرتز با بیشترین تغییرات به عنوان نانوسیم بهینه اثر بسامد مشخص شد. در نهایت روی نانوسیم ساخته شده با 25/2 درصد ناخالصی تنگستن و بسامد انباشت 200 هرتز، اثر ولتاژ پالسی انباشت بررسی می شود. برای این کار زمان های خاموشی( 0-5-10-15-20 )میلی ثانیه در مرحله انباشت اعمال می گردد. پس از تابکاری حرارتی نانوسیم ساخته شده با زمان خاموشی 5 میلی ثانیه با بیشترین تغییرات میدان وادارندگی به عنوان نمونه بهینه مشخص شد.
