زهرا عالمی پور

در این پژوهش نانوسیم های آلیاژی Fe100-x-Px با درصدهای مولی (5/0، 5/1، 2، 4، 6، 9، 12، 16 و 20) فسفر در قالب های آلومینیوم آندی (AAO) و با استفاده از روش الکتروانباشت متناوب ساخته شدند. برای آماده سازی قالب های منظم آلومینیوم از فرآیند آندایز دو مرحله ای با برقراری جریان مستقیم و ولتاژ ثابت 40 ولت استفاده گردید که در آن اسید اکسالیک 3/0 مولار به عنوان محلول الکترولیت به کار رفت. سپس اثرات غلظت به صورت ترکیب عناصر (Fe وP) ، عملیات حرارتی، ولتاژ نامتقارن، ولتاژپالسی و قطر بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم ها بررسی گردید. ساختار نانوسیم ها به وسیله ی الگوهای پراش اشعه ی ایکس بررسی شد و جزئیات ساختاریشان توسط دستگاه میکروسکوپ الکترونی عبوری (SEM) محاسبه گردید و با استفاده از دستگاه طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس (EDX) ترکیبات موجود در نانوسیم ها مشخص شدند. خواص مغناطیسی آلیاژها به وسیله ی دستگاه مغناطش سنج نیروی گرادیان متناوب (AGFM) مورد ارزیابی و مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان دادند که با افزودن فسفر در محلول الکترولیت انباشت، میدان وادارندگی از 1431 اورستد (برای آهن خالص) به مقدار 786 اورستد (برای آلیاژ Fe80P20) کاهش می یابد. برای بررسی اثرات عملیات حرارتی بر خواص مغناطیسی آلیاژها، تمام نانوسیم ها در دماهای (300، 400، 500، 550 و 600) درجه ی سلیسیوس تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. مشاهده شد که در تمامی نانوسیم ها با درصدهای مختلفی از فسفر میدان وادارندگی با بالا رفتن دما افزایش می یابد. اما بیشترین افزایش و تغییرات مربوط به نموهی حاوی 16 درصد مولی فسفر در محلول الکترولیت انباشت گزارش گردید و نتایج نشان دادند که میدان وادارندگی این نانوسیم از 837 اورستد در دمای اتاق به مقدار 1520 اورستد در دمای 600 درجه سلسیسیوس رسیده است. الگوهای پراش اشعه ایکس (XRD) که از نمونه ها گرفته شدند نشان داد که قله ها در زوایای حدود 44 و 65 درجه و مربوط به صفحات بلوری با جهت ترجیهی (110) و (200) رخ داده است. در بررسی اثر ولتاژ نامتقارن بر روی خواص مغناطیسی نمونه ها، نانوسیم ها با ولتاژهای کاهشی ثابت (19-)، (17-) و (15-) ولت بر حسب ولتاژهای اکسایشی مختلف و همچنین ولتاژ اکسایشی ثابت (19+) ولت بر حسب ولتاژهای کاهشی مختلف ساخته شدند. مشخص شد که با افزایش ولتاژهای اکسایشی میدان وادارندگی افزایش می یابد