کربن به عنوان یک عنصر منحصر به فرد در طبیعت همواره از دیرباز مورد توجه بوده است. ساختارهای جدیدی همچون نانولوله های کربن و فلورن با ویژگی های خاص خود، مطالعه روی ساختارهای متفاوت کربن را دوباره در کانون توجه قرار داد. درسال 2004 گرافن به عنوان یک تک لایه از اتم های کربن که یک پایه نظری برای سایر ساختارهای آن است کشف شد. بررسی خواص فیزیکی گرافن یکی زمینه های تحقیقاتی پر دامنه است. در این تحقیق ما با استفاده از روش شکست مکانیکی تماس به بررسی رسانش الکتریکی در گرافن می پردازیم. در این روش با قرار دادن لایه های نازکی از گرافیت حجیم بین رساناهای فلزی یک ریلی، و باز و بسته شدن ریلی، بر اثر شکسته شدن تماس، شاهد تغییرات ولتاژ دو سر تماس به صورت کوانتیده هستیم. داده های مربوط به تغییرات ولتاژ در هنگام شکستن تماس جمع آوری می شود و با رسم هیستوگرام ها و منحنی های رسانش در محیط های مختلف به بررسی رسانش الکتریکی لایه های گرافن می پردازیم. طبق نتایج به دست آمده از این تحقیق، به طور غالب قله 1G0 مشاهده می شود که در واقع می توان آن را به کمترین مقدار رسانش الکتریکی در گرافن نسبت داد که این مقدار مستقل از شرایط محیطی و ولتاژ اعمال شده به دو سر تماس است.
