در این مطالعه با استفاده از مدل تنگ بست و تابع گرین به بررسی رفتار الکترونیکی، مغناطیسی و ترمودینامیکی تک لایه C3Nمیپردازیم. ما همچنین به مطالعه تاثیر تنش و دما برروی این ویژگیها خواهیم پرداخت. محاسبات ما نشان میدهد که ظرفیت گرمایی الکترونیکی و پذیرفتاری مغناطیسی پاولی با افزایش تنش دو محوری کششی افزایش مییابد. یافتههای ما نشان میدهد که تک لایه C3Nیک ماده دوبعدی امیدوارکننده و پایدار با کاربردهای بالقوه در حسگرها، الکترونیک و اسپینترونیک است
