1403/02/15

زهرا عالمی پور

مرتبه علمی: استادیار
ارکید:
تحصیلات: دکترای تخصصی
اسکاپوس: 3645
دانشکده: دانشکده علوم پایه
نشانی:
تلفن:

مشخصات پژوهش

عنوان
ساخت نانوسیم های آلیاژی کبالت- تنگستن و بررسی اثر ولتاژ نامتقارن و پالسی بر روی خواص مغناطیسی آن ها
نوع پژوهش
پایان نامه
کلیدواژه‌ها
الکتروانباشت، قالب آلومینیوم آندی، آندایز، نانوسیم
سال 1398
پژوهشگران لاله جمشیدنژاد(دانشجو)، بندر آستین چپ(استاد راهنما)، زهرا عالمی پور(استاد مشاور)

چکیده

دراین پایان نامه نانوسیم های آلیاژی Co97W3 به روش الکتروانباشتجریان متناوب در داخل قالب اکسید آلومینیوم آندی، ساخته می شوند. خواص مغناطیسی، آنالیز عنصری و ساختار مورفولوژی نانوسیم ها توسط دستگاه مغناطوسنج نیروی گرادیان متناوب(AGFM )، طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس (EDX) و میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM) مورد مطالعه قرار می گیرند. ساختار بلوری و رفتار حرارتی نانوسیم ها با استفاده از طیف سنجی پراش اشعه ایکس(XRD) مشخص می شوند. اثر ولتاژ پالسی بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم هایی که با زمان های خاموشی مختلف (0 -5 – 10 -15- 20- 25- 30- 35- 50- 100- 200 میلی ثانیه)ساخته شدند مورد بررسی قرار می گیرد. سپس نمونه ها در محدوده ی دمایی بین ( 300-600 ) تابکاری حرارتی می شوند. نتایج نشان می دهد نانوسیم هایی که با اعمال زمان خاموشی 30 میلی ثانیه ساخته می شوند دارای بیشترین میدان وادارندگی (1359) در دمای 600 درجه سانتی-گراد هستند، بنابراین این نانوسیم ها به عنوان نمونه بهینه اثر ولتاژ پالسی در نظر گرفته می شوند. برای بررسی اثر ولتاژ نامتقارن بر روی خواص مغناطیسی نمونه ها، نانوسیم هایی با ولتاژ کاهشی ثابت 15- ولت و ولتاژهای اکسایشی مختلف از 7+ تا21+ ولت ساخته می شوند.در نهایت پس از تابکاری حرارتی، مشاهده شد که ولتاژ کاهشی 15- ولت و ولتاژ اکسایشی 9+ ولت ولتاژهای بهینه هستند.