در این پایان نامه ابتدا با استفاده از مدل تنگ بست هامیلتونین 11 و 6 نواری مولیبدن دی سولفاید را محاسبه می کنیم. سپس به وسیله تابع گرین و مدل هولشتاین به بررسی خواص ترموالکتریک و ترمودینامیک تحت تاثیر میدان مغناطیسی، جفت شدگی الکترون-فونون و تزریق الکترون و حفره می پردازیم. نتایج نشان می دهد که اعمال میدان مغناطیسی بر تک لایه مولیبدن دی سولفاید سبب کاهش گاف انرژی آن می شود. همچنین ظرفیت گرمایی و رسانندگی گرمایی با اعمال میدان مغناطیسی و تزریق الکترون کاهش می یابد در حالی که با تزریق حفره افزایش پیدا می کند. نشان می دهیم که تک لایه مولیبدن دی سولفاید در فاز پادفرومغناطیس قرار دارد که با اعمال میدان مغناطیسی فاز آن از پادفرومغناطیس به فرومغناطیس تغییر پیدا می کند. همچنین به بررسی خواص ترموالکتریک و ترمودینامیک نانونوارهای هیبریدی لبه زیگزاگی MoS2/MoSe2 و MoS2/WSe2 با استفاده از مدل تنگ بست 6 نواری و تابع گرین غیرتعادلی تحت تاثیر میدان تبادلی و میدان الکتریکی عرضی می پردازیم. نتایج نشان می دهد که این نانونوارها دارای خاصیت فلزی هستند که با اعمال میدان الکتریکی عرضی شبه گاف ایجاد می شود. همچنین با اعمال میدان مغناطیسی و میدان عرضی ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی کاهش پیدا می کند. همچنین با استفاده از مدل تنگ بست به بررسی ضریب جذب نوری فسفرین تحت تاثیر تنش و میدان مغناطیسی خارجی می پردازیم. نتایج ما نشان می دهد با اعمال تنش تک محوری قله در نمودار جذب نوری برای تک لایه فسفرین به فرکانس های بالاتر منتقل می شود. با افزایش دما نرخ جذب نوری فسفرین در یک میدان مغناطیسی ثابت کاهش پیدا می کند. همچنین با استفاده از مدل تنگ بست و تابع گرین به بررسی خواص ترموالکتریک سیلیسیم کاربید دولایه تحت تاثیر ولتاژ بایاس و میدان مغناطیسی می پردازیم. که نشان دادیم سیلیسم کاربید دولایه یه ماده یک ماده فلزی است که با اعمال کردن ولتاژ بایاس باند گاف افزایش پیدا می کند و به نیمه رسانا تبدیل می شود.با افزایش ولتاژ بایاس رسانندگی گرمایی سیلیسم کاربید دولایه به دلیل افزایش باند گاف کاهش پیدا می کند.همچنین حامل های بار سیلیسم کاربید دولایه حفره هستند به دلیل اینکه علامت ضریب سیبک آن مثبت است.
