چینش و هم آرایی کنترل شده نانوسیم ها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، سنسورها، ادوات اسپینترونیک و ترموالکتریک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یک بعدی با استفاده از روش های مختلفی مانند دستکاری نوری، میکروسیالات، میدان های الکتریکی و مغناطیسی انجام شده است. با وجود بعضی موفقیت های نسبی، همه این روش ها، به جز روش لانگمویر- بلاجت، در چینش نانوسیم ها در مقیاس بزرگ ناکارآمد و ناتوان هستند. در این پایان نامه ما از روش لانگمویر- بلاجت برای لایه نشانی نانوسیم های مغناطیسی بر روی سطح جامد استفاده کرده ایم. ما پس از تمیز کردن نانوسیم های مغناطیسی سنتز شده با روش رسوب الکتریکی با ولتاژ مستقیم و قالب اکسید آلومینیم با قطر حفره 200 نانومتر، با استفاده از یک میکروسرنگ آنها را روی سطح آب دو بار یونیزه شده در تشتک لانگمویر ریختیم. پس از فشرده کردن، در یک فشار سطحی خاص، تک لایه ها به زیرلایه های جامد (در غیاب و در حضور میدان مغناطیسی خارجی) منتقل شدند. در حضور میدان مغناطیسی اعمال شده خارجی، تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی تک لایه هایی از نانوسیم های تقریبا هم جهت با میدان مغناطیسی را نشان می دهند. لایه نشانی با استفاده از میدان مغناطیسی روش جالبی است که می توان از آن برای هم جهت نمودن تعداد بسیاری زیادی از نانوسیم ها در یک آزمایش استفاده کرد. با این حال، در غیاب میدان مغناطیسی، نانوسیم ها به طور تصادفی ولی در گروه های کوچک ( حوزه مغناظیسی) بر روی زیرلایه های شیشه ای جهت گیری داشتند. حوزه ها در تک لایه هایی که با حضور میدان خارجی لایه نشانی شدند هم وجود داشتند اما جهت نانوسیم های مغناطیسی در حوزه ها با میدان مغناطیسی اعمال شده موازی است. ما در این پایان نامه علاوه بر این که برای اولین بار موفق به لایه نشانی نانوسیم های مغناطیسی عامل دارشده و نشده با حضور و بدون حضور میدان مغناطیسی شده ایم همچنین توانسته ایم تعداد زیادی نانوسیم را به مساحت های بزرگی از زیرلایه جامد منتقل کنیم و دولایه از نانوسیم های مغناطیسی را روی زیر لایه های شیشه ای قرار داهیم. ارزانی قیمت، سرعت عمل بالا، لایه نشانی در مساحت های بزرگ و همچنین تنوع در مورفولوژی تک لایه ها از اهمیت ها و مزایای روش لانگمویر- بلاجت هستند.
