رحمان حلاج

نانوذرات مغناطیسی دسته ای از نانوذرات هستند که به دلیل خاصیت فیزیکی و شیمیایی منحصر به فرد می توانند برای انواع کاربردها در یک میدان مغناطیسی به کار گرفته شوند. قابلیت مهم این ذرات شامل فراهم کردن بستری مناسب برای تثبیت مولکولها به ویژه مولکولهای زیستی و افزایش انتقال الکترون بین سطح الکترود و مولکولها است. در این پروژه طراحی حسگرهای الکتروشیمیایی بر پایهی نانوذرات مغناطیسی شامل دو بخش است: بخش اول: در این بخش یک ایمن حسگر ساندویچی الکتروشیمیایی ساده و حساس برای تعیین HBsAgبر پایهی نانوذرات مغناطیسی به عنوان بستر جمع کنندهی پروب طراحی و ساخته شد که آنتی ژنها بین نانوذرات مغناطیسی و نانوهیبریدهای طلا-تیونین، ساندویچ میشود. تحت شرایط بهینه، این ایمن حسگر توانایی تشخیص HBsAgرا در محدودهی خطی 0/ 001فمتوگرم تا 2نانوگرم بر میلی لیتر و حد تشخیص 0/3آتوگرم بر میلی لیتر با حساسیت 1 /622میکروآمپر بر پیکوگرم بر میلی لیتر را دارد. بخش دوم: در این بخش سطح الکترود کربن شیشهای به وسیله چارچوب فلز-آلی مغناطیسی ( )GC/Fe3O4@Cu-BTCاصلاح شد. در واقع از مس به عنوان واسطهی انتقال الکترون استفاده شده است. رفتار الکتروشیمیایی حسگر طراحی شده توسط ولتامتری پالس تفاضلی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد الکترود اصلاح شده دارای فعالیت خوبی برای اکسیداسیون الکتروشیمیایی آرسنیک ( )IIIدر پتانسیلهای پایین (حدود - 0/1ولت) است. از آمپرومتری هیدرودینامیک با الکترود چرخان و در پتانسیل ثابت -0/23استفاده شد. بر اساس این آزمایشات حد تشخیص 0/0002 ppbو حساسیت 0/2528میکرو آمپر بر ppbدر محدودهی خطی 1تا ppb27با روش ولتامتری پالس تفاضلی به دست آمد