دیودهای گسیل کننده نوری یکی از مهم ترین ادوات در سیستمهای الکترونیکی و مخابراتی در نظر گرفته میشوند. در این پایان نامه از میان دیودهای نور دهنده مختلف، دیودهای دیودهای گسیل کننده ی نوری مبتنی بر چاه های پتانسیل InGaN برای ارزیابی و عملکرد آنها انتخاب شده اند. در این نوع ادوات بارهای قطبش، مهمترین عامل برای کاهش بهره میباشند. علاوه بر این جرم موثر بالای حفره ها در مقایسه با الکترون ها تاثیر بسزایی در عملکرد آنها خواهند داشت. راه حل های مختلفی برای بهبود شرایط و افزایش بهره این ادوات از جمله نرخ بازترکیب تشعشعی در طول سالهای متوالی ارائه شده است. در اینجا، کاهش ضخامت سد پتانسیل، راهکاری است که برای بهبود عملکرد و البته با در نظر گرفتن جرم سنگین حفره، ارزیابی و آنالیز شده است. نمودار های مختلفی مانند نمودار جریان-ولتاژ، نرخ بازترکیب تشعشعی، توان-جریان، طیف خروجی و غیره برای ارزیابی بیشتر آورده شده است. در نهایت، انتخاب ضخامت 7 نانومتر برای سدهای کوانتومی به عنوان یک نقطه بهینه در نظر گرفته شده است، زیرا ضخامت کمتر سد سبب میگردد تا حفره ها مسافت کمتری را برای رسیدن به لایه ی آخر طی کنند.
