1405/03/04

خالد عزیزی

مرتبه علمی: دانشیار
ارکید:
تحصیلات: دکترای تخصصی
ریسرچ گیت:
دانشکده: دانشکده علوم پایه
اسکولار:
پست الکترونیکی: khaled.azizi [at] uok.ac.ir
اسکاپوس: پیوند
تلفن:
HIndex:

مشخصات پژوهش

عنوان
بررسی نظری قابلیت ‌کاربرد نانو ذرات گرافن اکسید به عنوان مهار کننده خوردگی آلومینیوم در محیط آبی
نوع پژوهش
پایان نامه
کلیدواژه‌ها
گرافن اکسید؛ جذب فیزیکی؛ خوردگی آلومینیوم؛ مهار کننده خوردگی؛ انحلال در آب؛ مخلوط آب- گلایکول
سال 1402
پژوهشگران سحر مهربانی(دانشجو)، خالد عزیزی(استاد راهنما)

چکیده

در تحقیق حاضر تغییر خواص ساختاری شامل طول و زوایای پیوندی، انرژی پایداری و واپیچش صفحه و خواص الکترونی طرح واره اوربیتال‌های مولکولی هومو و لومو، بار الکتریکی و هیبریداسیون اتمهای کربن، ممان دوقطبی و پارامترهای شیمی کوانتومی نظیر شکاف انرژی، پتانسیل شیمیایی، سفتی شیمیایی و شاخص الکترون دوستی برای یک صفحه گرافنی 5 در 3 عامل دار شده با تعداد متفاوتی از بنیان‌های کربوکسیلات (, n=1-9 5*3GS(COO-)n) و نیز برای گرافن اکسید در سطح محاسباتی m062x/6-31g(d) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین به منظور قابلیت کاربرد گرافن اکسید به عنوان مهارکننده خوردگی آلومینیوم، برهم‌کنش بین یک خوشه آلومینیومی و هر یک از ساختارهای شیمیایی مورد اشاره در بالا مطالعه شده و خواص ساختاری شامل فاصله جاذب-جذب شونده و خواص الکترونی شامل انتقال بار الکتریکی، تغییر شکاف انرژی و انرژی جذب ‌برای‌ پیکربندی‌های حاصل محاسبه و مورد ارزیابی قرار گرفته است. علاوه براین چگونگی چینش مولکول‌های آب و گلایکول پیرامون گرافن اکسید طی فرایند انحلال آن در مخلوطی از این دو حلال بررسی و انرژی درونی انرژی آزاد گیبس انحلال محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش تعداد گروه‌های کربوکسیلاتی در ساختار گرافن انرژی پایداری، ممان دوقطبی، واپیچش صفحه و بار الکتریکی اتم‌های اکسیژن افزایش می یابند. علاوه بر این معلوم شده که جهت انتقال بار الکتریکی از نانو ساختار گرافن اکسید به سمت خوشه آلومینیومی بوده و انرژی جذب خوشه آلومینیومی برای جذب بر گروه عاملی اپوکسی بیشترین مقدار است. همچنین تغییرات انرژی درونی برای همه حالت‌های احاطه نانو ساختار به وسیله مولکول‌های آب و گلایکول منفی بوده و تغییرات انرژی آزاد گیبس برای حالت احاطه به ‌وسیله نه مولکول آب و هشت مولکول گلایکول منفی است.