به منظور بررسی اثر میدان مغناطیسی با شدت و زمان های مختلف قرارگیری بر روی برخی از صفات جوانه زنی بذر نخود(Cicer arietinum L) رقم ILC482، آزمایشی درسال 1392 درآزمایشگاه حقیقات عالی دانشکده کشاورزی دانشگاه فردوسی مشهد، در قالب طرح کاملاً تصادفی با سه تکرار اجرا شد. تیمارهای این مطالعه عبارت بودند از: شدت میدان مغناطیس در دو سطح ( 100 و 150 میلی تسلا) و زمان قرارگیری در معرض میدان مغناطیس در 5سطح ( 1، 2، 3،4 و 5 ساعت) و تیمار شاهد نیز بدون اعمال میدان مغناطیسی در آزمایش درنظرگرفته شد. نتایج نشان داد که میدان مغناطیسی به طور معنی داری بر جوانه زنی نخود تأثیرگذار بود. بذوری که در معرض میدان 100 میلی تسلا به مدت دوساعت قرار گرفتند، بیشترین میزان طول ریشه چه را داشتند، به طوری که طول ریشه چه نسبت به تیمار شاهد ( 6.33 سانتیمتر) 33 درصد افزایش یافت. در تیمار میدان مغناطیسی با شدت 150 میلی تسلا و به مدت 5ساعت، میزان طول ریشه چه نسبت به تیمار شاهد، 30 درصد افزایش نشان داد. طول ساقه چه بذور نخود در تیمار اعمال دو ساعت میدان مغناطیسی 100 میلی تسلا نسبت به شاهد(1.67 سانتیمتر) و در تیمار اعمال 5ساعت میدان مغناطیسی 150 میلی تسلا به میزان 46.9 درصد افزایش یافت. بیشترین میزان وزن خشک ریشه چه در تیمار 2ساعت زمان میدان مغناطیسی 150 میلی تسلا بود که نسبت به تیمارشاهد 51.9 درصد افزایش نشان داد. در تیمار اعمال 5ساعت میدان مغناطیسی شدت 150 میلی تسلا 46 درصد وزن خشک ساقه چه نخود نسبت به تیمار شاهد بیش تر بود و همچون سایر صفات مورداندازه گیری، تیمار ذکرشده بیشینه وزن خشک ساقه چه نخود را به خود اختصاص داد؛ اما وزن خشک بقایای بذر در اثرمیدان مغناطیسی کاهش یافت. از آن جا که میدان مغناطیسی سبب بهبود رشد گیاهچه می شود ، در نتیجه تخلیه موادغذایی سازنده بذر، سریع تر و بهتر صورت می گیرد و لذا منجر به سریع شدن دوره رشد در زمان جوانه زنی بذر نخود درشرایط آزمایشگاهی خواهد شد.
