در این تحقیق لایه ی نازک دی اکسید تیتانیم با اکسیدکردن گرمایی لایه های Ti لایه نشانی شده روی شیشه به دست آمد (4 دوره در 500 درجه برای 3 ساعت)، لایه های تیتانیوم به روش کندوپاش با توان 600 وات در 15 دقیقه لایه نشانی شد. ضخامت لایه های اکسیدی ایجاد شده در هر مرحله از اکسید گرمایی با استفاده از طیف اپتیکی به روش سوانپل اندازه گیری و محاسبه شد. پارامترهای اپتیکی همچون ضریب شکست و گاف انرژی اپتیکی لایه های TiO2 ایجاد شده مورد مطالعه قرار گرفت. بمنظور بررسی پارامترهای اپتیکی از آنالیز UV-Vis استفاده شد. همچنین جهت بررسی ریخت شناسی سطح لایه، میکروسکوپ نیروی اتمی مورد استفاده قرار گرفت و از آن زبری سطح بدست آمد. نتایج نشان داد که با افزایش مرحله پخت، لایه های اکسیدی در طول موج های مرئی و فرابنفش شفاف تر و ضریب شکست بیشتر شد، درحالیکه در گاف انرژی تغییری مشاهده نشد.
