در این پژوهش، خواص الکترونیکی و ترموالکتریک نانونوار زیگزاگی WTe₂تحت تأثیر میدان مغناطیسی خارجی بررسی شده است. با استفاده از مدل تنگ بست و تابع گرین غیرتعادلی، نشان دادهایم که میدان مغناطیسی باعث شکستهشدن تقارن معکوس زمانی، جدایش اسپینی و بهبود ویژگیهای انتقال الکترونها میشود. همچنین، نتایج نشان میدهند که میدان مغناطیسی میتواند با کاهش رسانندگی گرمایی و افزایش ضریب سیبک و ضریب شایستگی ترموالکتریک، عملکرد ترموالکتریک سیستم را بهبود بخشد. این یافتهها نشاندهندهی پتانسیل بالای استفاده از میدان مغناطیسی برای تنظیم خواص نانومواد مبتنی بر WTe₂هستند
