در این پژوهش اثر میدان الکتریکی بر ظرفیت گرمایی، پذیرفتاری مغناطیسی و چگالی حالت های نانونوار زیگزاگی مولبیدن دی سلناید در مدل تنگ بست با استفاده از رهیافت تابع گرین غیرتعادلی بررسی می شود. از طریق تابع گرین غیرتعادلی چگالی حالت ها را محاسبه می کنیم و با محاسبه چگالی حالت ها ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی به دست می آیند. نتایج به دست آمده نشان می دهد که با افزایش میدان الکتریکی گاف انرژی کاهش پیدا می کند. در محدودی دمای پایین ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی با افزایش میدان الکتریکی افزایش پیدا می کنند.
