در این پایان نامه به بررسی خواص ترمودینامیکی نانو نوار آرمچیر سیلیسیم در پهناهای مختلف تحت تاثیر میدان الکتریکی و مغناطیسی با استفاده از مدل تنگ بست می پردازیم. هامیلتونین نانو نوارآرمچیر سیلیسیم را با استفاده مدل تنگ بست محاسبه می کنیم. با محاسبه ترازهای انرژی هامیلتونین تابع گرین الکترونی را محاسبه خواهیم کرد. چگالی حالات، ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی را با اعمال کردن میدان مغناطیسی و الکتریکی بر نانو نوار سیلیسیم از طریق تابع گرین محاسبه می کنیم. نتایج نشان می دهد که نانو نوار سیلیسن که به ازای پهناهای 3l,3l+1دارای خاصیت نیمه رسانایی بوده اند ودر پهنای3l+2دارای خاصیت رسانایی می باشند. با اعمال کردن میدان مغناطیسی طبق قانون زیمن باعث شکافتگی نوارهای انرژی می شود و این شکافتگی نوارهای انرژی سبب می شود که نانونوار سیلیسن آرمچیر در دسته پهنا خاصیت رسانایی پیدا کنند. در محدودی دما پایین با افزایش میدان مغناطیسی و میدان الکتریکی عرضی ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی افزایش پیدا می کند. اما در محدود ه ی دمای بالا با افزایش میدان مغناطیسی و میدان الکتریکی عرضی ظرفیت گرمایی الکترونی و پذیرفتاری مغناطیسی کاهش پیدا کرده است.
